对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较见表所示。 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较 器 件 优 点 缺 点 IGBT 开关速度较高，开关损耗小，具有耐脉冲电 流冲击的能力，通态电压降较低，输入阻抗 高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET， 电压、电流容量不及GTO GTR 电流大，通流能力强，饱和电压降低 开关速度低，为电流驱动，所 需驱动功率大，驱动电路复杂， 存在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具 有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门 极负脉冲电流大，开关速度低， 驱动功率大，驱动电路复杂，开 关频率低 电力 MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所 需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高， 不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低，一般只 适用于功率较小的电力电子装置