放肩到所需直径后，就应调温、调速，使晶体保持等直径生长（2-9），直至接近拉完，此过程称为“垂直生长”，也称为“等径生长”。 等径生长时主要是根据观察光圈形状和晶体直径来调节功率，达到控制温度、转速和提拉速度的目的。现在大多都实现了自动控制，等径生长就变得容易多了。

  等径生长到一定程度，石英坩埚里的多晶硅熔液将近使完时就应该收尾了（2-10）。收尾时，要加快提升速率，同时升高熔硅温度，使晶体直径逐渐变小，形成一个圆锥形，最终离开液面。收尾后，拉晶就算完成了。在整个拉晶过程中，温度和拉速的调节和控制是十分重要的。

  如果控制得不好，不但不能得到外形好的单晶硅，而且还会使位错增加。如果拉速过慢，将延长拉晶时间。延长拉晶时间，会影响单晶硅的电阻率，甚至得不到单晶。所以，操作人员一定要仔细观察并正确控制温度。在整个拉晶过程中，不仅要控制温度和拉速，而且还要注意温度与拉速之间的配合。

  因为单晶硅的正常生长，不仅与正确的温度和正确的拉速有关，而且还和温度与拉速之间的正确配合有关。单晶硅生长时的温度和拉速的变化是比较复杂的。但这与任何客观事物一样，也有一定的规律。给出了单晶硅生长时的温度和拉速的变化曲线。知道了这条曲线，也就知道了单晶硅生长时各阶段的温度和拉速的变化情况。

  （a）单晶硅的部位。（b）温度变化。（c）拉速变化。